HBM память является одним из самых важных нововведений в последние годы на рынке видеокарт – в основном благодаря гораздо более высокой пропускной способности и меньшего энергопотребления по сравнению с модулями GDDR5. Этот стандарт был разработан компанией AMD и SK Hynix.
Сейчас стало известно, что Samsung работает над аналогичной технологией, которую высокой оценили на выставке IDF 2015 в Сан-Франциско.
Изначально Samsung планирует создать память для видеокарт – для топовых моделей будет доступно 8 Гбайт, а для более низких 2 Гбайт памяти – тоже самое, как в случае с Radeon R9 Fury и Fury X, а теперь еще с Nano.
В будущем компания планирует выпустить карты на 16 Гбайт памяти и скоростью 1 Тбайт\с.
Массовое производство такой памяти должно начаться в начале следующего года и первоначально будет применятся для графических карт и воспроизводительных вычислительных систем. В последующие годы, производитель выйдет на сетевые устройства и другое оборудование.
